喜帅
基础信息 发源国家：中国 创立时间：待完善 创始人中文名：待...
SK hynix/海力士基础信息
发源国家：韩国
创立时间：1983年
创始人中文名：待完善
创始人英文名：待完善
所属公司：SK HYNIX INC
总部地点：韩国京畿道利川市Bubal-eup庆中大路2091
主品牌：待完善
品牌口号：待完善
常用名：待完善
官方微信：SK海力士
联系方式：联系电话：510-85208888
品牌介绍
品牌生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。SK hynix品牌于1983年创立，SK hynix致力于实现持续的研发与投资，增强技术与成本竞争力，引领全球半导体市场。作为无形的基础设施，通过半导体，竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。
品牌故事
SK hynix以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础，每年都在开辟已步入纳米级超微细技术领域的半导体技术的崭新领域。另外，SK hynix不仅标榜行业最高水平的投资效率，2006年更创下半导体行业世界第七位，步入纯利润2万亿韩元的集团，正在展现非凡的增长势力。SK hynix不仅作为给国家经济注入新鲜血液的发展动力，完成其使命，同时不断追求与社会共同发展的相生经营。SK hynix为发展成为令顾客和股东满意的先导企业，将尽心尽责，全力以赴。
大事记
2021年
2月，SK hynix宣布完成M16工厂建设。
3月，SK hynix开始量产具有业界最大容量的LPDDR5移动DRAM。
2020年
5月13日，SK hynix名列2020福布斯全球企业2000强榜第296位。
2019年
SK hynix开发世界上最快的高带宽内存，HBM2E在亚马逊上推出“ Gold S31”消费者固态硬盘。
10月，2019福布斯全球数字经济100强榜发布，SK hynix位列第28位。
2018年
SK hynix推出了世界上第一个96层基于CTF的4D NAND闪存。
SK hynix推出新口号“ We Do Technology”在清州举行庆祝M15竣工仪式。
2017年
SK hynix研发出20纳米级全球最快的GDDR6。
SK hynix运营“ SK海力士产业健康促进事业持续推进委员会”。
SK hynix成立“ SK hynix System IC”，这是一家专门从事铸造的子公司。
2013年
SK hynix全球首次研发TSV技术HBM。
2012年
2月，韩国第三大财阀SK集团宣布收购SK hynix21.05%的股份从而入主这家内存大厂。
2004年
10月，SK hynix将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。
SK hynix成功研发NAND Flash产品。
1999年
SK hynix收购LG半导体。
1996年
SK hynix（海力士）正式在韩国上市。
1995年
SK hynix在全球首次开发256Mb SRAM，成为韩国十大制造企业。
1989年
SK hynix在全球半导体市场份额列入前二十。
1987年
SK hynix开始出口256Kb DRAM。
1984年
SK hynix首次成功试产16Kb SRAM。
1983年
SK hynix（海力士）品牌成立。
